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2SC3504F-AE

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2SC3504F-AE 技术参数
  • 2SC3503FSTU 功能描述:TRANS NPN 300V 0.1A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):160 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:7W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:60 2SC3503ESTU 功能描述:TRANS NPN 300V 0.1A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:7W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:60 2SC3503DSTU 功能描述:TRANS NPN 300V 0.1A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:7W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:60 2SC3503CSTU 功能描述:TRANS NPN 300V 0.1A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:7W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:1,920 2SC3415STPP 功能描述:TRANS NPN 300V 0.1A 3PIN SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2V @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):56 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 成形引线 供应商器件封装:SPT 标准包装:5,000 2SC3601E 2SC3611 2SC3624-T1B-A 2SC3646S-P-TD-E 2SC3646S-TD-E 2SC3646T-P-TD-E 2SC3646T-TD-E 2SC3647S-TD-E 2SC3647T-TD-E 2SC3648S-TD-E 2SC3648T-TD-E 2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-H 2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-H 2SC3665-Y(T2NSW,FM 2SC3665-Y,T2F(J 2SC3665-Y,T2NSF(J
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