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2SC4134R-TL

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2SC4134R-TL 技术参数
  • 2SC4132T100R 功能描述:TRANS NPN 120V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2V @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SC4132T100Q 功能描述:TRANS NPN 120V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2V @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SC4132T100P 功能描述:TRANS NPN 120V 2A SOT89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2V @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):82 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SC4131 功能描述:TRANS NPN 50V 15A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 80mA,400mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 5A,1V 功率 - 最大值:60W 频率 - 跃迁:18MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:1,080 2SC4117-BL,LF 功能描述:TRANS NPN 120V 0.1A SOT323 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 2SC4140 2SC4153 2SC4207-BL(TE85L,F 2SC4207-GR(TE85L,F 2SC4207-Y(TE85L,F) 2SC4208ARA 2SC4211-6-TL-E 2SC4211-7-TL-E 2SC4212H 2SC4213-A(TE85L,F) 2SC4213BTE85LF 2SC4215-O(TE85L,F) 2SC4215-Y(TE85L,F) 2SC4226-A 2SC4226-T1-A 2SC4227-A 2SC4227-T1-A 2SC4227-T1-R34-A
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