2SC4734E

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2SC4734E 技术参数

2SC4731T-AY 功能描述:TRANS NPN 100V 4A FLP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3（SMT）标片供应商器件封装:FLP 标准包装:1,000 2SC4731S-AY 功能描述:TRANS NPN 100V 4A FLP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3（SMT）标片供应商器件封装:FLP 标准包装:1,000 2SC4726TLP 功能描述:TRANS NPN 11V 0.05A SOT-416 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:11V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:56 @ 5mA，10V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:3.2GHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:EMT3 标准包装:1 2SC4726TLN 功能描述:TRANS NPN 11V 0.05A SOT-416 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:11V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:56 @ 5mA，10V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:3.2GHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:EMT3 标准包装:1 2SC4725TLP 功能描述:TRANS NPN 20V 0.05A SOT-416 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:1.5GHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:EMT3 标准包装:1 2SC4793,HFEF(M 2SC4793,NSEIKIF(J 2SC4793,TOA1F(J 2SC4793,WNLF(J 2SC4793,YHF(J 2SC4793,YHF(M 2SC48050QL 2SC4808G0L 2SC4808J0L 2SC4809J0L 2SC48350RL 2SC4837S-AY 2SC4853A-4-TL-E 2SC4881(CANO,F,M) 2SC4881,LS1SUMIF(M 2SC4883 2SC4883A 2SC4886