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2SC5010-FB/83

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2SC5010-FB/83 技术参数
  • 2SC5010-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.5dB @ 2GHz 增益:8.5dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):75 @ 10mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SC5008-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):10V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.9dB @ 2GHz 增益:7.5dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 2SC5008-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):10V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.9dB @ 2GHz 增益:7.5dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SC5007-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):10V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.4dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 7mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):65mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 2SC5007-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):10V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.4dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 7mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):65mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SC501900L 2SC50260RL 2SC5053T100Q 2SC5053T100R 2SC5060TV2M 2SC5065-O(TE85L,F) 2SC5065-Y(TE85L,F) 2SC5066-O,LF 2SC5066-Y,LF 2SC5071 2SC5084-O(TE85L,F) 2SC5084YTE85LF 2SC5085-O(TE85L,F) 2SC5085-Y(TE85L,F) 2SC5086-O,LF 2SC5086-Y,LF 2SC5087-O(TE85L,F) 2SC5087R(TE85L,F)
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