2SC5703TE85L

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2SC5703TE85LF
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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深圳市华芯盛世科技有限公司
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2SC5703TE85L 技术参数

2SC5663T2L 功能描述:TRANS NPN 12V 0.5A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标准包装:1 2SC5662T2LP 功能描述:TRANS NPN 11V 0.05A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:11V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 5mA，10V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:3.2GHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标准包装:1 2SC5662T2LN 功能描述:TRANS NPN 11V 0.05A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:11V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:56 @ 5mA，10V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:3.2GHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标准包装:8,000 2SC5661T2LP 功能描述:TRANS NPN 20V 0.05A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:1.5GHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标准包装:1 2SC5659T2LP 功能描述:TRANS NPN 25V 0.05A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标准包装:1 2SC5729T106Q 2SC5729T106R 2SC5730TLQ 2SC5730TLR 2SC5731T100Q 2SC5731T100R 2SC5732TLQ 2SC57390P 2SC5750-A 2SC5750-T1-A 2SC5751-A 2SC5751-T2-A 2SC5752-A 2SC5752-T1-A 2SC5753-A 2SC5753-T2-A 2SC5754-A 2SC5754-T2-A