2SC5938-T112-1B/

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2SC5938-T112-1B/ 技术参数

2SC5930(TPF2,F,M) 功能描述:TRANS NPN 1A 600V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 75mA，600mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标准包装:1 2SC5930(T2MITUM,FM 功能描述:TRANS NPN 1A 600V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 75mA，600mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标准包装:1 2SC5916TLR 功能描述:TRANS NPN 30V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:TSMT3 标准包装:1 2SC5916TLQ 功能描述:TRANS NPN 30V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:TSMT3 标准包装:1 2SC5888 功能描述:TRANS NPN 50V 10A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:360mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1A，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 2SC59930P 2SC59930Q 2SC5994-TD-E 2SC6010(T2MITUM,FM 2SC6011 2SC6011A 2SC6017-E 2SC6017-TL-E 2SC6017-TL-EX 2SC6023-TR-E 2SC6024-TL-E 2SC6026CTGRTPL3 2SC6026CT-Y(TPL3) 2SC6026MFVGR,L3F 2SC603600L 2SC6036G0L 2SC6037J0L 2SC6040(TPF2,Q,M)