2SC6026MFV-GR(TPL3

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说明
操作

2SC6026MFV-GR(TPL3)
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
TOSHIBA/东芝
SOT923
23+
-
原装正品欢迎咨询

2SC6026MFV-GR(TPL3)
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：严艺浦
电话：18682365538
地址：上步工业区501栋410室
20000
TOSHIBA/东芝
SOT923
23+
-
原装正品欢迎咨询

2SC6026MFV-GR(TPL3)
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
21444
TOSHIBA/东芝
SOT923
21+
-
原厂原装现货

2SC6026MFV-GR(TPL3)
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
SOT923
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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功能描述
两极晶体管 - BJT 150mA 50V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2SC6026MFV-GR(TPL3 技术参数

2SC6026CT-Y(TPL3) 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A CST3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:CST3 标准包装:1 2SC6026CTGRTPL3 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A CST3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:CST3 标准包装:1 2SC6024-TL-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 35MA 3SSFP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.5V 频率 - 跃迁:14GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:9dB ~ 10.5dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 15mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:1 2SC6023-TR-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 35MA MCP4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.5V 频率 - 跃迁:14.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:9.5dB ~ 11dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 15mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:4-MCP 标准包装:1 2SC6017-TL-EX 功能描述:TRANS NPN 50V 10A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:360mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1A，2V 功率 - 最大值:950mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SC6043-AE 2SC6054G0L 2SC6054J0L 2SC6076(TE16L1,NV) 2SC6081 2SC6082 2SC6082-1E 2SC6082-EPN-1E 2SC6094-TD-E 2SC6095-TD-E 2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-H 2SC6097-E 2SC6097-TL-E 2SC6098-E 2SC6098-TL-E 2SC6099-E 2SC6099-TL-E