2SD126(H)

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2SD126(H) 技术参数

2SD1221-Y(Q) 功能描述:TRANS NPN 60V 3A PW MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:PW-MOLD 标准包装:200 2SD12110S 功能描述:TRANS NPN 120V 0.5A TO-92L 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:185 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:TO-92L-A1 标准包装:200 2SD12110R 功能描述:TRANS NPN 120V 0.5A TO-92L 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:130 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:TO-92L-A1 标准包装:200 2SD1207U 功能描述:TRANS NPN 50V 2A MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:280 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:3-MP 标准包装:500 2SD1207T-AE 功能描述:TRANS NPN 50V 2A 3MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:3-MP 标准包装:1 2SD12700P 2SD12710P 2SD1271AP 2SD12720P 2SD12750P 2SD1275AP 2SD1276AP 2SD12770P 2SD1277AP 2SD12800RL 2SD12800SL 2SD12950RL 2SD13020RA 2SD132800L 2SD13280RL 2SD13280SL 2SD13280TL 2SD1383KT146B