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2SD1261-Z-E1

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2SD1261-Z-E1 技术参数
  • 2SD1221-Y(Q) 功能描述:TRANS NPN 60V 3A PW MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 300mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:PW-MOLD 标准包装:200 2SD12110S 功能描述:TRANS NPN 120V 0.5A TO-92L 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):185 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92L-A1 标准包装:200 2SD12110R 功能描述:TRANS NPN 120V 0.5A TO-92L 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):130 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92L-A1 标准包装:200 2SD1207U 功能描述:TRANS NPN 50V 2A MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):280 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:3-MP 标准包装:500 2SD1207T-AE 功能描述:TRANS NPN 50V 2A 3MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:3-MP 标准包装:1 2SD12700P 2SD12710P 2SD1271AP 2SD12720P 2SD12750P 2SD1275AP 2SD1276AP 2SD12770P 2SD1277AP 2SD12800RL 2SD12800SL 2SD12950RL 2SD13020RA 2SD132800L 2SD13280RL 2SD13280SL 2SD13280TL 2SD1383KT146B
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