2SD1782KT146RCT

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2SD1782KT146RCT 技术参数

2SD1782KT146R 功能描述:TRANS NPN 80V 0.5A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:1 2SD1782KT146Q 功能描述:TRANS NPN 80V 0.5A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:1 2SD1781KT146R 功能描述:TRANS NPN 32V 0.8A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:1 2SD1781KT146Q 功能描述:TRANS NPN 32V 0.8A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:1 2SD1773 功能描述:TRANS NPN DARL 120V 8A TO-220F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 80mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F-A1 标准包装:100 2SD1802T-TL-E 2SD1803S-E 2SD1803S-H 2SD1803S-TL-E 2SD1803S-TL-H 2SD1803T-E 2SD1803T-H 2SD1803T-TL-E 2SD1803T-TL-H 2SD1805F-E 2SD1805F-TL-E 2SD1805G-E 2SD1805G-TL-E 2SD1815S-E 2SD1815S-H 2SD1815S-TL-E 2SD1815S-TL-H 2SD1815T-E