2SD215300V

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2SD215300V 技术参数

2SD2150T100S 功能描述:TRANS NPN 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:290MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SD2150T100R 功能描述:TRANS NPN 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:290MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SD2144STPW 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1200 @ 10mA，3V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:350MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 成形引线供应商器件封装:SPT 标准包装:2,000 2SD2144STPV 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A SPT/SC-72 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:820 @ 10mA，3V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:350MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 成形引线供应商器件封装:SPT 标准包装:1 2SD2144STPU 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A 3PIN SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:820 @ 10mA，3V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:350MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 成形引线供应商器件封装:SPT 标准包装:5,000 2SD21780SA 2SD21790RA 2SD21840RA 2SD21850RL 2SD2185GRL 2SD2195T100 2SD2206(T6CANO,F,M 2SD2206(T6CNO,A,F) 2SD2206(TE6,F,M) 2SD2206,T6F(J 2SD2206A(T6SEP,F,M 2SD22100RL 2SD2211T100Q 2SD2211T100R 2SD2212T100 2SD2216G0L 2SD2216J0L 2SD22200RA