2SD2216RTX

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2SD2216RTX 技术参数

2SD2216J0L 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A SS-MINI 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:125mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F1 标准包装:1 2SD2216G0L 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:125mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F3 标准包装:1 2SD2212T100 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SD2211T100R 功能描述:TRANS NPN 160V 1.5A SOT89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SD2211T100Q 功能描述:TRANS NPN 160V 1.5A SOT89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SD2257(CANO,Q,M) 2SD2257(Q,M) 2SD2257,KEHINQ(J 2SD2257,NIKKIQ(J 2SD2257,Q(J 2SD22580RA 2SD225900A 2SD2264TV2R 2SD2318TLU 2SD2318TLV 2SD23210RA 2SD2345GSL 2SD2345JSL 2SD2351T106V 2SD2351T106W 2SD235800A 2SD2374AP 2SD23750P