2SD2242P

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2SD2242P 技术参数

2SD22420PA 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 4A MT-4 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 20mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:4000 @ 3A，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-4-A1 标准包装:1 2SD2240JRL 功能描述:TRANS NPN 150V 0.05A SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:130 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:125mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F1 标准包装:1 2SD2227STPW 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1200 @ 1mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 成形引线供应商器件封装:SPT 标准包装:5,000 2SD2226KT146W 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:820 @ 1mA，5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:1 2SD2226KT146V 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:820 @ 1mA，5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:1 2SD2264TV2R 2SD2318TLU 2SD2318TLV 2SD23210RA 2SD2345GSL 2SD2345JSL 2SD2351T106V 2SD2351T106W 2SD235800A 2SD2374AP 2SD23750P 2SD2389 2SD2390 2SD2391T100Q 2SD2396K 2SD2401 2SD2406-Y(F) 2SD241300L