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2SD2264-R

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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2SD2264-R 技术参数
  • 2SD225900A 功能描述:TRANS NPN 20V 0.7A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):700mA 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:55MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-2-A1 标准包装:1 2SD22580RA 功能描述:TRANS NPN DARL 50V 1A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.8V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):8000 @ 1A,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-2-A1 标准包装:1 2SD2257,Q(J 功能描述:TRANS NPN 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1.5mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 2A,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SD2257,NIKKIQ(J 功能描述:TRANS NPN 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1.5mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 2A,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SD2257,KEHINQ(J 功能描述:TRANS NPN 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1.5mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 2A,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SD2374AP 2SD23750P 2SD2389 2SD2390 2SD2391T100Q 2SD2396K 2SD2401 2SD2406-Y(F) 2SD241300L 2SD2413G0L 2SD2420AP 2SD2438 2SD2439 2SD244100L 2SD2444KT146R 2SD245300L 2SD24570QL 2SD24590RL
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