2SD2351T106VCT

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2SD2351T106VCT 技术参数

2SD2351T106V 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:820 @ 1mA，5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:UMT3 标准包装:1 2SD2345JSL 功能描述:TRANS NPN 40V 0.05A SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:600 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:125mW 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F1 标准包装:1 2SD2345GSL 功能描述:TRANS NPN 40V 0.05A SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:600 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:125mW 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F3 标准包装:1 2SD23210RA 功能描述:TRANS NPN 20V 5A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:340 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:400mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔封装/外壳:NS-B1 供应商器件封装:NS-B1 标准包装:1 2SD2318TLV 功能描述:TRANS NPN 60V 3A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:560 @ 500mA，4V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SD2406-Y(F) 2SD241300L 2SD2413G0L 2SD2420AP 2SD2438 2SD2439 2SD244100L 2SD2444KT146R 2SD245300L 2SD24570QL 2SD24590RL 2SD24590SL 2SD24790RA 2SD250400A 2SD2528 2SD2537T100V 2SD25490P 2SD2560