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2SK2717F

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

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  • TO-220F

  • 2014

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  • 全新原装现货

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

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  • TO-220..

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  • 北京力通科信电子有限公司
    北京力通科信电子有限公司

    联系人:韩小姐

    电话:13661385246

    地址:北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室,新中发电子市场B1303-b1305柜台

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2SK2717F 技术参数
  • 2SK2715TL 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2A DPAK 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):280pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SK2713 功能描述:MOSFET N-CH 450V 5A TO-220FN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):450V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):600pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FN 标准包装:500 2SK2701A 功能描述:MOSFET N-CH 450V TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):450V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.1 欧姆 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):720pF @ 10V 功率 - 最大值:35W 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F 标准包装:1,000 2SK2632LS 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.8 欧姆 @ 1.3A,15V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):550pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FI(LS) 标准包装:100 2SK2625ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 2.5A,15V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FI(LS) 标准包装:100 2SK2854(TE12L,F) 2SK2866(F) 2SK2883(TE24L,Q) 2SK2887TL 2SK2916(F) 2SK2917(F) 2SK2943 2SK2962(T6CANO,A,F 2SK2962(T6CANO,F,M 2SK2962(TE6,F,M) 2SK2962,F(J 2SK2962,T6F(J 2SK2962,T6F(M 2SK2962,T6WNLF(J 2SK2962,T6WNLF(M 2SK2963(TE12L,F) 2SK2967(F) 2SK2989(T6CANO,A,F
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