2SK2983K

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北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
2000
NEC
TO263
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

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北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
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资质：营业执照
3000
NEC
TO263
09/10+
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北京元坤伟业科技有限公司
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资质：营业执照
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2SK2983K 技术参数

2SK2967(F) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:68 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:132nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5400pF @ 10V 功率 - 最大值:150W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P（N）标准包装:50 2SK2963(TE12L,F) 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:700 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:140pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PW-MINI 标准包装:1 2SK2962,T6WNLF(M 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包装:散装零件状态:停產安装类型:通孔供应商器件封装:TO-92MOD 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体标准包装:1 2SK2962,T6WNLF(J 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包装:散装零件状态:停產安装类型:通孔供应商器件封装:TO-92MOD 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体标准包装:1 2SK2962,T6F(M 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包装:散装零件状态:停產安装类型:通孔供应商器件封装:TO-92MOD 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体标准包装:1 2SK3018T106 2SK3018-TP 2SK3019TL 2SK3019-TP 2SK302200L 2SK302500L 2SK303000L 2SK303100L 2SK3043 2SK3044 2SK3045 2SK3046 2SK3047 2SK3048 2SK3050TL 2SK306400L 2SK3064G0L 2SK3065T100