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2SK3179(TE85L)

配单专家企业名单
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  • 2SK3179(TE85L)
    2SK3179(TE85L)

    2SK3179(TE85L)

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 10000

  • TOSHIBA

  • 标准封装

  • 15+

  • -
  • 百分百原装质量保障

  • 2SK3179(TE85L)
    2SK3179(TE85L)

    2SK3179(TE85L)

  • 深圳市众多星电子有限公司
    深圳市众多星电子有限公司

    联系人:欧先生

    电话:1342528235017819355232

    地址:深圳市福田区八卦四路中浩大厦1013室

    资质:营业执照

  • 800000

  • 进口件

  • 连接器

  • 最新

  • -
  • 进口,原装,现货

  • 2SK3179(TE85L)
    2SK3179(TE85L)

    2SK3179(TE85L)

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13305449939

    地址:深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质:营业执照

  • 100

  • TOSHIBA

  • SOT-343

  • #N/A

  • -
  • 现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

  • 2SK3179(TE85L)
    2SK3179(TE85L)

    2SK3179(TE85L)

  • 深圳市煌盛达科技有限公司
    深圳市煌盛达科技有限公司

    联系人:贺小姐

    电话:18948314511

    地址:平湖华南城华利嘉

    资质:营业执照

  • 12000

  • TOSHIBA

  • 原厂包装

  • 17+

  • -
  • 原装现货库存,诚信交易

  • 2SK3179(TE85L)
    2SK3179(TE85L)

    2SK3179(TE85L)

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 100

  • TOSHIBA

  • SOT-343

  • #N/A

  • -
  • 现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

  • 2SK3179(TE85L)
    2SK3179(TE85L)

    2SK3179(TE85L)

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室

    资质:营业执照

  • 100

  • TOSHIBA

  • NA

  • 23+

  • -
  • 现货!就到京北通宇商城

  • 2SK3179(TE85L)
    2SK3179(TE85L)

    2SK3179(TE85L)

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 59

  • TOSHIBA

  • N/A

  • 1705+

  • -
  • 现货,原装正品

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  • 1
2SK3179(TE85L) PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
2SK3179(TE85L) 技术参数
  • 2SK3132(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P(L) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):95 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):280nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11000pF @ 10V 功率 - 最大值:250W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3PL 供应商器件封装:TO-3P(L) 标准包装:25 2SK3128(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2300pF @ 10V 功率 - 最大值:150W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P(N) 标准包装:50 2SK3127(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):45A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2300pF @ 10V 功率 - 最大值:65W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-220SM 标准包装:3,000 2SK3079ATE12LQ 功能描述:MOSF RF N CH 10V PW-X 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:N 通道 频率:470MHz 增益:13.5dB 电压 - 测试:4.5V 额定电流:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:33.5dBmW 电压 - 额定:10V 封装/外壳:TO-271AA 供应商器件封装:PW-X 标准包装:1 2SK3078A(TE12L,F) 功能描述:FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:N 通道 频率:470MHz 增益:8dB 电压 - 测试:4.5V 额定电流:500mA 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:28dBm 电压 - 额定:10V 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PW-MINI 标准包装:1 2SK3320-Y(TE85L,F) 2SK3342(TE16L1,NQ) 2SK33720RL 2SK33720SL 2SK33720TL 2SK33720UL 2SK3372GRL 2SK3372GSL 2SK3372GTL 2SK3372GUL 2SK3388(TE24L,Q) 2SK3403(Q) 2SK34260TL 2SK3430-AZ 2SK3430-Z-E1-AZ 2SK3431-AZ 2SK3431-Z-E1-AZ 2SK3462(TE16L1,NQ)
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