您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > 2字母型号搜索 >

2SK4080-Z-E1

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作

没找到与 " 2SK4080-Z-E1 " 相关的供应商

您可以:

1. 缩短或修改您的搜索词,重新搜索

2. 发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
2SK4080-Z-E1 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
2SK4080-Z-E1 技术参数
  • 2SK4073LS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 90A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):90A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 45A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):12500pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FI(LS) 标准包装:100 2SK4066-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A SMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3(SMT)标片 供应商器件封装:SMP 标准包装:100 2SK4066-DL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:SMP-FD 标准包装:1,000 2SK4066-DL-1EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO263-2 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):12500pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.65W(Ta),90W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 50A,10V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-263-2 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:800 2SK4066-DL-1E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263-2 标准包装:800 2SK4094 2SK4094-1E 2SK4096LS 2SK4097LS 2SK4099LS 2SK4099LS-1E 2SK4116LS 2SK4117LS 2SK4124 2SK4124-1E 2SK4125 2SK4125-1E 2SK4126 2SK4150TZ-E 2SK4151TZ-E 2SK4171 2SK4177-DL-1E 2SK4177-DL-E
配单专家

在采购2SK4080-Z-E1进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买2SK4080-Z-E1产品风险,建议您在购买2SK4080-Z-E1相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的2SK4080-Z-E1信息由会员自行提供,2SK4080-Z-E1内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号