3EZ16D5G

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功能描述
稳压二极管 16V 3W
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

3EZ16D5G 技术参数

3EZ16D5E3/TR8 功能描述:Zener Diode 16V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 12.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 3EZ16D5E3/TR12 功能描述:Zener Diode 16V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 12.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 3EZ16D5/TR8 功能描述:Zener Diode 16V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 12.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 3EZ16D5/TR12 功能描述:Zener Diode 16V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 12.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 3EZ16D2E3/TR8 功能描述:Zener Diode 16V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:5.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 12.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 3EZ170D10E3/TR8 3EZ170D2/TR12 3EZ170D2/TR8 3EZ170D2E3/TR12 3EZ170D2E3/TR8 3EZ170D5/TR12 3EZ170D5/TR8 3EZ170D5E3/TR12 3EZ170D5E3/TR8 3EZ170DE3/TR12 3EZ170DE3/TR8 3EZ17D/TR12 3EZ17D/TR8 3EZ17D10/TR12 3EZ17D10/TR8 3EZ17D10E3/TR12 3EZ17D10E3/TR8 3EZ17D2/TR12