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3LN01M-E

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  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人:唐先生

    电话:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质:营业执照

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  • 原装现货/特价

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

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  • SANYO/三洋

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  • 原装正品 欢迎咨询

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  • 深圳廊盛科技有限公司
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    联系人:严艺浦

    电话:18682365538

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • SANYO/三洋

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  • 23+

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • SANYO

  • SOT-323

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3LN01M-E 技术参数
  • 3LN01C-TB-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):150mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.7 欧姆 @ 80mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:3,000 3LN01C-TB-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):150mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.7 欧姆 @ 80mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 3LL4B 3LL2 功能描述:STOPPER 3CC 1000/PK 制造商:apex tool group 系列:- 零件状态:在售 配件类型:塞子 配套使用产品/相关产品:- 标准包装:1 3LL1B 3LP01M-TL-H 3LP01S-K-TL-E 3LP01SS-TL-E 3LP01SS-TL-EX 3LP01SS-TL-H 3LP01S-TL-E 3M 1046 0.5" X 60YDS 3M 1093 1/2" X 36YD 3M 1093 3/4" X 36YD 3M 1120 0.5"SQ-250 3M 1120 0.75"SQ-250 3M 1120 1" X 2"-100 3M 1120 1" X 3"-100 3M 1120 1" X 4"-100 3M 1120 1"SQ-250 3M 1120 1.5"SQ-100 3M 1120 1/2" X 2"-100 3M 1120 1/2" X 3"-100
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