您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > 3字母型号搜索 >

3LTK4C10

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作

没找到与 " 3LTK4C10 " 相关的供应商

您可以:

1. 缩短或修改您的搜索词,重新搜索

2. 发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
3LTK4C10 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • Thomas & Betts
  • 功能描述
  • 30A,COND ADPT,3P4W,EU,1KIT
3LTK4C10 技术参数
  • 3LP01S-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.4 欧姆 @ 50mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SMCP 标准包装:1 3LP01SS-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.4 欧姆 @ 50mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SMCP 标准包装:8,000 3LP01SS-TL-EX 功能描述:MOSFET P-CH 30V SOT-623 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.43nC @ 10V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7.5pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.4 欧姆 @ 50mA,4V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:3-SSFP 封装/外壳:SC-81 标准包装:8,000 3LP01SS-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.4 欧姆 @ 50mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-81 供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:1 3LP01S-K-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压(Vdss):- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SMCP 标准包装:3,000 3M 1120 1.5"SQ-100 3M 1120 1/2" X 2"-100 3M 1120 1/2" X 3"-100 3M 1120 1/2" X 4"-100 3M 1120 2"SQ-100 3M 1120 3/4" X 2"-100 3M 1120 3/4" X 3"-100 3M 1120 3/4" X 4"-100 3M 1120 CIRCLE-0.5"-250 3M 1120 CIRCLE-0.75"-250 3M 1120 CIRCLE-1"-250 3M 1120 CIRCLE-1.5"-100 3M 1120 CIRCLE-2"-100 3M 1125 0.5"SQ-250 3M 1125 0.75"SQ-250 3M 1125 1" X 2"-100 3M 1125 1" X 3"-100 3M 1125 1" X 4"-100
配单专家

在采购3LTK4C10进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买3LTK4C10产品风险,建议您在购买3LTK4C10相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的3LTK4C10信息由会员自行提供,3LTK4C10内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号