3SM-200

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3SM-200 技术参数

3SM2 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:92pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:轴向工作温度 - 结:- 标准包装:1 3SM0 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 2000V 不同?Vr，F 时的电容:92pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:轴向工作温度 - 结:- 标准包装:1 3SK294(TE85L,F) 功能描述:FET RF 12.5V 500MHZ USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道频率:500MHz 增益:26dB 电压 - 测试:6V 额定电流:30mA 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:12.5V 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:USQ 标准包装:1 3SK293(TE85L,F) 功能描述:FET RF 12.5V 800MHZ USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道双门频率:800MHz 增益:22dB 电压 - 测试:6V 额定电流:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:12.5V 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:USQ 标准包装:1 3SK292(TE85R,F) 功能描述:MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道双门频率:500MHz 增益:26dB 电压 - 测试:6V 额定电流:30mA 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:12.5V 封装/外壳:SC-61AA 供应商器件封装:SMQ 标准包装:1 3SMAJ5919B-TP 3SMAJ5920B-TP 3SMAJ5921B-TP 3SMAJ5922B-TP 3SMAJ5923B-TP 3SMAJ5924B-TP 3SMAJ5925B-TP 3SMAJ5926B-TP 3SMAJ5927B-TP 3SMAJ5928B-TP 3SMAJ5929B-TP 3SMAJ5930B-TP 3SMAJ5931B-TP 3SMAJ5932B-TP 3SMAJ5933B-TP 3SMAJ5934B-TP 3SMAJ5935B-TP 3SMAJ5936B-TP