5821SMJ/TR13

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
3.0A, 30V, VF=0.48V - Tape and Reel
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE SCHOTTKY 3A 30V SMCJ

5821SMJ/TR13 技术参数

5821SMGE3/TR13 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO215AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:480mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-215AB，SMC 鸥翼型供应商器件封装:DO-215AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 5821SMG/TR13 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO215AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:480mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-215AB，SMC 鸥翼型供应商器件封装:DO-215AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 5821997-3 功能描述:72 Position SIMM RAM Socket Through Hole 制造商:te connectivity amp connectors 系列:Micro-Edge 包装:管件零件状态:有效连接器样式:SIMM 针脚数:72 存储器类型:RAM 标准:MO-116 安装类型:通孔特性:板导轨，锁存器安装特性:正常，标准 - 顶部触头镀层:金触头镀层厚度:30μin（0.76μm）标准包装:45 5821950-7 功能描述:72 Position SIMM RAM Socket Through Hole, 25° Angle 制造商:te connectivity amp connectors 系列:Micro-Edge 包装:管件零件状态:有效连接器样式:SIMM 针脚数:72 存储器类型:RAM 标准:MO-116 安装类型:通孔，25° 角特性:板导轨，锁存器安装特性:- 触头镀层:金触头镀层厚度:30μin（0.76μm）标准包装:400 58215-6 功能描述:DIN FERR DIE SET (.275-.300) 制造商:te connectivity amp connectors 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 5822097-3 5822110-3 5822134-3 5822134-4 5822137-3 5822137-4 5822138-3 5822138-4 5822330-3 5822330-4 5822417-1 5822436 5822448 5822460 5822469-3 5822469-4 5822472 582289-1