5HN02CTB-E

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制造商
Sony Semiconductor Solutions Division
功能描述

5HN02CTB-E 技术参数

5HN01S-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP3 制造商:on semiconductor 系列:* 零件状态:生命周期结束标准包装:3,000 5HN01SS-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMD 制造商:on semiconductor 系列:* 零件状态:Not Recommended For New Designs 标准包装:8,000 5HN01SS-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP3 制造商:on semiconductor 系列:* 零件状态:有效标准包装:8,000 5HN01M-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.2pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:3-MCP 标准包装:3,000 5HN01M-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.2pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:3-MCP 标准包装:3,000 5HQ221JBFAA 5HT 1 5HT 1.25 5HT 1.25-R 5HT 1.6 5HT 1.6-R 5HT 10 5HT 100-R 5HT 10-R 5HT 1-R 5HT 2 5HT 2.5 5HT 2.5-R 5HT 200-R 5HT 250-R 5HT 2-R 5HT 3.15 5HT 3.15-R