5KP85-T

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功能描述
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 _
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
极性
Bidirectional
工作电压
击穿电压
58.9 V
钳位电压
77.4 V
峰值浪涌电流
38.8 A
系列
封装 / 箱体
DO-214AB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C

5KP85-T 技术参数

5KP85HE3/73 功能描述:TVS DIODE 85VWM 151VC P600 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101，TransZorb? 包装:带盒（TB）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:85V 电压 - 击穿（最小值）:94.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:151V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:33.1A 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:汽车级不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:P600，轴向供应商器件封装:P600 标准包装:300 5KP85HE3/54 功能描述:TVS DIODE 85VWM 151VC P600 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101，TransZorb? 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:85V 电压 - 击穿（最小值）:94.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:151V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:33.1A 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:汽车级不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:P600，轴向供应商器件封装:P600 标准包装:800 5KP85E3/TR13 功能描述:TVS DIODE 85VWM 151VC P600 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:85V 电压 - 击穿（最小值）:94.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:151V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:33.1A 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:P600，轴向供应商器件封装:P600 标准包装:500 5KP85-E3/73 功能描述:TVS DIODE 85VWM 151VC P600 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:TransZorb? 包装:带盒（TB）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:85V 电压 - 击穿（最小值）:94.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:151V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:33.1A 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:P600，轴向供应商器件封装:P600 标准包装:300 5KP85-E3/54 功能描述:TVS DIODE 85VWM 151VC P600 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:TransZorb? 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:85V 电压 - 击穿（最小值）:94.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:151V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:33.1A 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:P600，轴向供应商器件封装:P600 标准包装:800 5KP9.0AHE3/73 5KP9.0A-HR 5KP9.0A-HRA 5KP9.0A-TP 5KP9.0-B 5KP9.0C 5KP9.0CA 5KP9.0CA-B 5KP9.0CAE3/TR13 5KP9.0CA-G 5KP9.0CA-HR 5KP9.0CA-HRA 5KP9.0C-B 5KP9.0CE3/TR13 5KP9.0E3/TR13 5KP90 5KP90A 5KP90A-B