5LPCV24110

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说明
操作

5LPCV24110
北京杰创宏达电子有限公司
北京杰创宏达电子有限公司
联系人：沈小姐/伊小姐
电话：010-61190909
地址：北京市海淀区安宁庄26号悦MOMA701室
资质：营业执照
2600
Crydom
SSR
24+
-
授权代理商

5LPCV24110
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
50000
CRYDOM
Standard
2024+
-
保证原装现货

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功能描述
固态继电器-工业安装 Lin.Prop.Contr. 300 VAC/110A 0-5VDC
RoHS
否
制造商
Crydom
控制电压范围
4 VDC to 32 VDC
负载电压额定值
7 VDC to 72 VDC
负载电流额定值
160 A
触点形式
输出设备
SSR
安装风格
Panel

5LPCV24110 技术参数

5LP01S-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 欧姆 @ 40mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 标准包装:3,000 5LP01SS-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 欧姆 @ 40mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:8,000 5LP01SS-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 欧姆 @ 40mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:8,000 5LP01SP-AC 功能描述:MOSFET P-CH 50V .07A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 欧姆 @ 40mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 标准包装:2,500 5LP01SP 功能描述:MOSFET P-CH 50V .07A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 欧姆 @ 40mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 标准包装:500 5M1010BCT-3 5M1020B 5M1020B-2 5M1020B-3 5M1020BCT 5M1020BCT-2 5M1020BCT-3 5M1210B 5M1210B-2 5M1210B-3 5M1210BCT 5M1210BCT-2 5M1210BCT-3 5M1220B 5M1220B-2 5M1220B-3 5M1220BCT 5M1220BCT-2