64405S

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制造商
OSRAM
功能描述

64405S 技术参数

64-4059PBF 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 42A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1510pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 644051-3 功能描述:19 位接头，无罩连接器 0.156"（3.96mm）通孔锡制造商:te connectivity amp connectors 系列:MTA-156 包装:散装零件状态:有效触头类型:公形引脚连接器类型:接头，无罩针脚数:19 加载的针脚数:18 间距:0.156"（3.96mm）排数:1 排距:- 触头配接长度:0.400"（10.16mm）安装类型:通孔端接:焊接紧固类型:- 特性:- 触头镀层:锡触头镀层厚度:- 颜色:自然色标准包装:5,000 64-4051 功能描述:MOSFET N-CH 55V 16A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:58 毫欧 @ 9.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 64-4047PBF 功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:260 毫欧 @ 8.4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:810pF @ 25V 功率 - 最大值:144W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 644044-8 功能描述:08P MTA100 CONN ASSY 30AU 制造商:te connectivity amp connectors 系列:* 零件状态:有效标准包装:500 6440-9300 6441 644101-7 644151-9 644168-1 644168-9 644177-2 644178-1 644179-1 644180-1 644180-2 644180-3 644180-4 644180-5 644180-6 644180-7 644180-8 6442