6HR2526509

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6HR2526509 技术参数

6HQ6R8DAADA 功能描述:6.8pF 500V 陶瓷电容器 N1500 径向，圆盘 0.157" 直径（4.00mm）制造商:avx corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期电容:6.8pF 容差:±0.5pF 电压 - 额定:500V 温度系数:N1500 安装类型:通孔工作温度:-55°C ~ 125°C 应用:通用等级:- 封装/外壳:径向，圆盘大小/尺寸:0.157" 直径（4.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.118"（3.00mm）厚度（最大值）:- 引线间距:0.197"（5.00mm）特性:- 引线形式:直形标准包装:2,500 6HP04MH-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 60V .37A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:370mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.2 欧姆 @ 190mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:24.1pF @ 20V 功率 - 最大值:600mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:SC-70FL/MCPH3 标准包装:3,000 6HP04CH-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.37A SB69 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:370mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.2 欧姆 @ 190mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:24.1pF @ 20V 功率 - 最大值:600mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 6HM89 功能描述:SEALED AERO SWITCH 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 6HM7-6 功能描述:SEALED AERO SWITCH 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 6KA24/4 6KA24-3HE3/54 6KA24-7000HE3/54 6KA24-E3/54 6KA24-E3/73 6KA24HE3/54 6KA24HE3/73 6KA24HE3_A/C 6KA24HE3_A/D 6KA24L-01HE3/72 6KA24L-2HE3/38 6KA24L-4HE3/72 6KA24L-6600HE3/2M 6KA24L-7001HE3/72 6LF22XWA/1SB 6LF22XWA/B 6LF22XWA/C 6LN04SS-TL-H