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71V65603S133PF8

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71V65603S133PF8 技术参数

71V65603S133BQI 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V65603S133BQGI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 4.2ns 165-Pin CABGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 9MBIT 256KX36 4.2NS 165FBGA - Tape and Reel 71V65603S133BQGI 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V65603S133BQG8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 4.2ns 165-Pin CABGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 9MBIT 256KX36 4.2NS 165FBGA - Tape and Reel 71V65603S133BQG 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V65603S150BGGI8 71V65603S150BQ 71V65603S150BQ8 71V65603S150BQG 71V65603S150BQG8 71V65603S150BQGI 71V65603S150BQGI8 71V65603S150BQI 71V65603S150BQI8 71V65603S150PFG 71V65603S150PFG8 71V65603S150PFGI 71V65603S150PFGI8 71V65703S75BG 71V65703S75BG8 71V65703S75BGG 71V65703S75BGG8 71V65703S75BQ