71V65803S150PF8

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71V65803S150PF8 技术参数

71V65803S150BQI8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165CABGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:9M（512K x 18）速度:150MHz 接口:并联电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15）标准包装:2,000 71V65803S150BQI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165CABGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:9M（512K x 18）速度:150MHz 接口:并联电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15）标准包装:136 71V65803S150BQG8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 512K x 18 3.8ns 165-Pin CABGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 9MBIT 512KX18 3.8NS 165FBGA - Tape and Reel 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:512Kx18 ZBT SYNC 3.3V PIPELINED SRAM 71V65803S150BQG 功能描述:静态随机存取存储器 512Kx18 ZBT SYNC 3.3V PIPELINED 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V65803S150BQ 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 9MBIT 512KX18 3.8NS 165FPBGA - Trays 71V65903S80BQ8 71V65903S80BQG 71V65903S80BQG8 71V65903S80PFG 71V65903S80PFG8 71V65903S80PFGI 71V65903S80PFGI8 71V65903S85BG 71V65903S85BG8 71V65903S85BGG 71V65903S85BGG8 71V65903S85BGGI 71V65903S85BQ 71V65903S85BQ8 71V65903S85BQG 71V65903S85BQG8 71V65903S85PFG 71V65903S85PFG8