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80F0104R

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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80F0104R 技术参数
  • 80EPS12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 电流 - 平均整流(Io):80A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.17V @ 80A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AC 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:500 80EPS08 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):80A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.17V @ 80A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AC 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:500 80EPF12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 电流 - 平均整流(Io):80A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.35V @ 80A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):480ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AC 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:500 80EPF10 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):80A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.35V @ 80A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):480ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AC 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:500 80EPF06 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 80A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):80A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 80A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):190ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AC 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:500 80F12K1 80F12R1 80F133 80F13K3 80F13R3 80F150 80F150K 80F15K 80F15R 80F162 80F16K2 80F16R2 80F182 80F18K2 80F18R2 80F1K0 80F1K1 80F1K21
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