9423-CHR-1000

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制造商
Belden Inc
功能描述

9423-CHR-1000 技术参数

94-2386 功能描述:MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:49A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17.5 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1470pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 9423580000 功能描述:MULTIMETER 1037 制造商:weidmuller 系列:- 零件状态:有效样式:手持型类型:数字（DMM）显示数字:- 显示类型:LCD 显示计数:- 功能:电压，电流，电阻，电容，频率功能，额外:- 特性:- 范围:- 响应:平均值包括:- 标准包装:1 94-2335 功能描述:MOSFET N-CH 55V 28A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40 毫欧 @ 17A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:880pF @ 25V 功率 - 最大值:68W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 94-2311PBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:无货 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:44 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:74nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 94-2310 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:800pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 94250 94251 9425-1"X72YD-BULK 9425-1/2"X72YD-BULK 94252 94253 94-253 9425-3/4"X72YD-BULK 94-254 94-255 94-257 9425830000 94-259 94259-001 9426 94262-310LF 94262-312TRLF 94262-314TR