AMIS-3910XGEVB

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说明
操作

AMIS-3910XGEVB
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
ON Semiconductor
标准封装
15+
-
百分百原装假一罚十

AMIS-3910XGEVB
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
ON Semiconductor
标准封装
16+
-
百分百原装假一罚十

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功能描述
AMIS39100, AMIS39101 - Power Management, High Side Driver (Internal FET) Evaluation Board
制造商
on semiconductor
系列
-
零件状态
有效
主要用途
电源管理，高端驱动器（内部 FET）
嵌入式
-
使用的 IC/零件
AMIS39100，AMIS39101
主要属性
8 通道（八进制）
辅助属性
LED 状态指示器
所含物品
板
标准包装
1

AMIS-3910XGEVB 技术参数

AMIS39101PNPB4RG 功能描述:功率驱动器IC OCTAL HIGH SIDE DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube AMIS39101PNPB4G 功能描述:功率驱动器IC OCTAL HIGH SIDE DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube AMIS39100PNPB3RG 功能描述:功率驱动器IC OCTAL HS DRVR 12V RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube AMIS39100PNPB3G 功能描述:功率驱动器IC OCTAL HS DRVR 12V RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube AMIS30663CANG2RG 功能描述:CAN 接口集成电路 HS CAN TRANSC 3.3V RoHS:否制造商:Texas Instruments 类型:Transceivers 工作电源电压:5 V 电源电流: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube AMIS42671ICAB1RG AMIS42673ICAG1G AMIS42673ICAG1RG AMIS42675ICAA1G AMIS42675ICAA1RG AMIS42700WCGA4H AMIS42700WCGA4RH AMIS42770ICAW1G AMIS42770ICAW1RG AMIS-49200-XTD AMIS-49200-XTP AMIS-49250-XTD AMIS-49250-XTP AMIS492X0GEVB AMIS49587C5871G AMIS49587C5871RG AMIS49587C5872G AMIS49587C5872RG