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AO4600CL

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    AO4600CL

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  • 深圳市宝芯创电子有限公司
    深圳市宝芯创电子有限公司

    联系人:陈先生

    电话:0755-83228629

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人,可开正规13%专

    资质:营业执照

  • 59990

  • AO/万代

  • SOP-8

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  • 100%原装,诚信为本,等你咨询!

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AO4600CL 技术参数
  • AO4588 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2940pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4578 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8-SO 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.7 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1128pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4576 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):951pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4568 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11.5 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):600pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 AO4566 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):542pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 AO4614BL_103 AO4616 AO4616L_102 AO4618 AO4619 AO4620 AO4622 AO4627 AO4629 AO4630 AO4701 AO4706 AO4708 AO4710 AO4710L_101 AO4712 AO4714 AO4718
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