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AO4882L/AO4822

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    AO4882L/AO4822

    AO4882L/AO4822

  • 深圳成德兴科技有限公司
    深圳成德兴科技有限公司

    联系人:马庆勇

    电话:0755-82567711

    地址:深南中路佳和电子大厦(华强三店)三楼3C072室

    资质:营业执照

  • 14520

  • AOS

  • SOP-8

  • 22+

  • -
  • 原装现货 可含税 样品可拆

  • 1/1页 40条/页 共9条 
  • 1
AO4882L/AO4822 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
AO4882L/AO4822 技术参数
  • AO4882 功能描述:MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):415pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4862E 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 4.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):46 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):215pF @ 15V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 AO4862 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):200pF @ 15V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 AO4854L_102 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):888pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4854 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):888pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:3,000 AO4946 AO4952 AO5401E AO5404E AO5404E_001 AO5404EL AO5600E AO5800E AO5803E AO5804E AO5804EL AO6085N03 AO6400 AO6401A AO6402A AO6402L AO6403 AO6403L
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