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AO5469

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AO5469 技术参数
  • AO5404EL 功能描述:MOSFET N-CH SC89-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):45pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):280mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 500mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SC-89-3 封装/外壳:SC-89,SOT-490 标准包装:3,000 AO5404E_001 功能描述:MOSFET N-CH SC89-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):45pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):280mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 500mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SC-89-3 封装/外壳:SC-89,SOT-490 标准包装:3,000 AO5404E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.5A SC89-3L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 500mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):45pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-89,SOT-490 供应商器件封装:SC-89-3 标准包装:1 AO5401E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.5A SC89-3L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):800 毫欧 @ 500mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):100pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-89,SOT-490 供应商器件封装:SC-89-3 标准包装:1 AO4952 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.5毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):605pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO6402L AO6403 AO6403L AO6404 AO6405 AO6408 AO6409 AO6409_102 AO6409_DELTA AO6409A AO6409A_102 AO6411 AO6414 AO6415 AO6420 AO6424 AO6424A AO6601
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