AO6-103J

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1/1页 40条/页共1条
1

您是不是要找： AO6400 AO6401A AO6402A AO6402L AO6403 AO6403L AO6404 AO6405 AO6408

AO6-103J PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

AO6-103J 技术参数

AO6085N03 功能描述:MOSFET N-CH 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），31W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘标准包装:3,000 AO5804EL 功能描述:MOSFET N-CH SC89-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:45pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SC-89-6 标准包装:3,000 AO5804E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SC89-6L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SC-89-6 标准包装:1 AO5803E 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:100pF @ 10V 功率 - 最大值:400mW 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SC-89-6 标准包装:1 AO5800E 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.4A SC89-6L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 400mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 30V 功率 - 最大值:400mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SC-89-6 标准包装:1 AO6409 AO6409_102 AO6409_DELTA AO6409A AO6409A_102 AO6411 AO6414 AO6415 AO6420 AO6424 AO6424A AO6601 AO6601_001 AO6602L AO6604 AO6604L_001 AO6608 AO6701