AOB20B65M1

配单专家企业名单

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说明
操作

AOB20B65M1
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
AO/万代
TO-263
23+
-
原装正品欢迎咨询

AOB20B65M1
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
19401
AOS/万代
TO-263
21+
-
原厂原装现货

AOB20B65M1
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
2500
isc,iscsemi
D2PAK/TO-263
2024+
-
国产品牌，可替代原装

AOB20B65M1
广州市睿科电子科技有限公司
广州市睿科电子科技有限公司
联系人：曾小姐/汤小姐
电话：1597539812513660603466
地址：花都区秀全街花港大道87号5楼
10000
AOS
NA
22+
-
只做原装，优势渠道，欢迎实单联系

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AOB20B65M1 技术参数

AOB1608L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta），140A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.3 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3690pF @ 25V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:1 AOB1606L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 12A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta），178A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:102nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4500pF @ 25V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:1 AOB15S65L 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:841pF @ 100V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:1 AOB15S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:717pF @ 100V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:1 AOB15B65M1 功能描述:IGBT 650V 15A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.15V @ 15V，15A 功率 - 最大值:214W 开关能量:290μJ（开），200μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/116ns 测试条件:400V，15A，20 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:317ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:1 AOB256L AOB25S65L AOB2606L AOB2608L AOB260L AOB2618L AOB262L AOB264L AOB266L AOB270AL AOB270L AOB27S60L AOB280L AOB282L AOB284L AOB286L AOB288L AOB2904