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AOT2906

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

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    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 8650000

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  • 深圳市宝芯创电子有限公司
    深圳市宝芯创电子有限公司

    联系人:陈先生

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    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人,可开正规13%专

    资质:营业执照

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  • TO-220

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  • AOT2906
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  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:林S

    电话:400-666-5385

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 330000

  • AOS/万代

  • TO-220

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V TO220
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
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  • 包装
  • 管件
  • 零件状态
  • 停產
  • 安装类型
  • 通孔
  • 供应商器件封装
  • TO-220
  • 封装/外壳
  • TO-220-3
  • 标准包装
  • 50
AOT2906 技术参数
  • AOT2904 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):135nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7085pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):326W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.4 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 AOT288L 功能描述:MOSFET N CH 80V 10.5A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10.5A(Ta),46A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.2 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1871pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT286L 功能描述:MOSFET N CH 80V 13A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta),70A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3142pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT284L 功能描述:MOSFET N CH 80V 16A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5154pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT282L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 18.5A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18.5A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):178nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7765pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT3N100 AOT3N50 AOT3N60 AOT404 AOT410L AOT412 AOT414 AOT416 AOT416_002 AOT416L AOT418L AOT424 AOT42S60L AOT430 AOT440 AOT460 AOT462 AOT462_001
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