AP01L06J

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AP01L06J 存储IC
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司
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AP01L06J 技术参数

AP01CWS 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 200mA Through Hole 制造商:sanken 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:4V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:2,500 AP01CWK 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 200mA Through Hole 制造商:sanken 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:4V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:2,500 AP01CV1 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 200mA Through Hole 制造商:sanken 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:4V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1 AP01CV0 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 200mA Through Hole 制造商:sanken 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:4V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:3,000 AP01CV 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 200mA Through Hole 制造商:sanken 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:4V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:5,000 AP0201AT2L00XEGAH3-GEVB AP0201ATSL00XEGAH-GEVB AP0202AT2L00XPGA0-DR AP0202AT2L00XPGA0-TR AP0202AT2L00XPGAH3-GEVB AP031 AP031A101JQT2A AP031A220JQT2A AP031C102KQT2A AP031C103KQT2A AP033 AP033-ATTN AP034 AP034-DA10 AP035A101JQT2A AP035A220JQT2A AP03X-OFFSET-PIN A-P04BFFA-S180-WP