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APT15GF120JCU2

配单专家企业名单
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  • APT15GF120JCU2
    APT15GF120JCU2

    APT15GF120JCU2

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SOT-227

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • APT15GF120JCU2
    APT15GF120JCU2

    APT15GF120JCU2

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 12500

  • isc,iscsemi

  • ISOTOP,SOT-227

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • APT15GF120JCU2
    APT15GF120JCU2

    APT15GF120JCU2

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 200

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共9条 
  • 1
APT15GF120JCU2 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全称
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ISOTOP? Boost chopper NPT IGBT SiC chopper diode
APT15GF120JCU2 技术参数
  • APT15F60S 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 500μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):72nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2882pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):290W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):430 毫欧 @ 7A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA 标准包装:1 APT15F60B 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):430 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 500μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2882pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:30 APT15F50K 功能描述:MOSFET N-CH 500V 15A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):390 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 500μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2250pF @ 25V 功率 - 最大值:223W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT15DS60BG 功能描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 600V 13A Through Hole, Radial TO-247-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管配置:1 对串联 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):13A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):4V @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):14ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:150μA @ 600V 安装类型:通孔,径向 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT15DQ60KG 功能描述:Diode Standard 600V 15A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):15A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):2.4V @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):19ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220 [K] 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 APT15GT120BRDQ1G APT15GT120BRG APT15GT60BRDQ1G APT15GT60BRG APT15GT60KRG APT15S20BCTG APT15S20KCTG APT15S20KG APT1608CGCK APT1608EC APT1608F3C APT1608LSECK/J3-PRV APT1608LSECK/J4-PRV APT1608LSYCK/J3-PRV APT1608LVBC/D APT1608LZGCK APT1608MGC APT1608PBC/A
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