APT27Z-G1

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APT27Z-G1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
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电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
BCD
TO92
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制造商
BCDSEMI
制造商全称
BCD Semiconductor Manufacturing Limited
功能描述
HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR

APT27Z-G1 技术参数

APT27HZTR-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 0.8A TO92 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 40mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:6 @ 300mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92 基本零件编号:APT27 标准包装:1 APT27GA90BD15 功能描述:IGBT PT 900V 48A 223W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:48A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):79A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.1V @ 15V，14A 功率 - 最大值:223W 开关能量:413μJ（开），287μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:62nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/98ns 测试条件:600V，14A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT26M100JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:1000V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:26A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:305nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7868pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:543W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:396 毫欧 @ 18A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:SOT-227 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 标准包装:1 APT26M100JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:26A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:396 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:305nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7868pF @ 25V 功率 - 最大值:543W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT26F120L 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:650 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9670pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT2X100D120J APT2X100D20J APT2X100D30J APT2X100D40J APT2X100D60J APT2X100DQ100J APT2X100DQ120J APT2X100DQ60J APT2X101D100J APT2X101D120J APT2X101D20J APT2X101D30J APT2X101D40J APT2X101D60J APT2X101DL40J APT2X101DQ100J APT2X101DQ120J APT2X101DQ60J