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APT5513JFLL
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
APT
ISOTOP?/FONT>
08+
-
全新原装100%正品保证质量

APT5513JFLL
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
APT
ISOTOP?/FONT>
08+
-
全新原装100%正品保证质量

APT5513JFLL
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01
69880
APT
MODULE
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

APT5513JFLL
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
10000
isc,iscsemi
ISOTOP，SOT-227
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APT5513JFLL
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
86530
APT
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

APT5513JFLL
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
ISOTOP?/FONT>
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
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APT5513JFLL 技术参数

APT5510JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:550V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:44A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 22A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:124nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5823pF @ 25V 功率 - 最大值:463W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 APT54GA60BD30 功能描述:IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:96A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):161A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，32A 功率 - 最大值:416W 开关能量:534μJ（开），466μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:28nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/112ns 测试条件:400V，32A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT54GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:96A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):161A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，32A 功率 - 最大值:416W 开关能量:534μJ（开），466μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:158nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/112ns 测试条件:400V，32A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT53N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 53A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:53A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 25.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1.72mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4020pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT53F80J 功能描述:MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:57A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 43A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:570nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:17550pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT56M60B2 APT56M60L APT58F50J APT58M50J APT58M50JCU2 APT58M50JU2 APT58M50JU3 APT58M80J APT58MJ50J APT5F100K APT6010B2LLG APT6013JLL APT6013LLLG APT6017LFLLG APT6017LLLG APT6030BN APT6040BN APT6040BNG

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