APTDCBDFDFWB

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APTDCBDFDFWB 技术参数

APTDC40H601G 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase, Silicon Carbide Schottky 600V 40A Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相，碳化硅肖特基电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - DC 正向（If）:40A 安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTDC40H1201G 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase, Silicon Carbide Schottky 1200V 40A Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相，碳化硅肖特基电压 - 峰值反向（最大值）:1200V 电流 - DC 正向（If）:40A 安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTDC20H601G 功能描述:RECT BRIDGE 20A 600V SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停產二极管类型:单相技术:碳化硅肖特基电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.8V @ 20A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:400μA @ 600V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTDC20H1201G 功能描述:RECT BRIDGE 20A 1200V SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:单相技术:碳化硅肖特基电压 - 峰值反向（最大值）:1.2kV 电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.8V @ 20A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:400μA @ 1200V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTD3216ZGCK 功能描述:LED GREEN CLEAR SMD 制造商:kingbright 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售颜色:绿色配置:独立式透镜颜色:无色透镜透明度:透明毫烛光等级:3300mcd 透镜样式/尺寸:圆形，带圆顶，1.60mm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:3.3V 电流 - 测试:20mA 视角:30° 安装类型:表面贴装波长 - 主:525nm 波长 - 峰值:515nm 特性:- 封装/外壳:1206（3016 公制）供应商器件封装:2-SMD 大小/尺寸:3.20mm 长 x 1.60mm 宽高度（最大值）:1.90mm 标准包装:1 APTDF200H170G APTDF200H20G APTDF200H60G APTDF30H1201G APTDF30H601G APTDF400AA100G APTDF400AA120G APTDF400AA170G APTDF400AA20G APTDF400AA60G APTDF400AK100G APTDF400AK120G APTDF400AK170G APTDF400AK20G APTDF400AK60G APTDF400KK100G APTDF400KK120G APTDF400KK170G