您好，欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
网站首页 | 采购商服务 | 会员服务 | 北京 010-87982920 | 深圳 0755-82701186 | 网站导航
产品
管理采购 发布采购信息
您现在的位置：买卖IC网 > A字母型号搜索 > A字母第2567页 >

APTGV30H60T3G

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APTGV30H60T3G
    APTGV30H60T3G

    APTGV30H60T3G

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP3

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共8条 
  • 1
APTGV30H60T3G PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
APTGV30H60T3G PDF下载
  • 功能描述
  • IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
  • RoHS
  • 是
  • 类别
  • 半导体模块 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 类型
  • PT
  • 配置
  • 单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
  • 600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
  • 1.4V @ 15V，100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
  • 430A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
  • 100µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 输入
  • 标准
  • NTC 热敏电阻
  • 无
  • 安装类型
  • 底座安装
  • 封装/外壳
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装
  • SOT-227B
APTGV30H60T3G 技术参数
  • APTGV25H120T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 40A 156W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:156W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGV25H120BG 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 1200V 40A 156W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 配置:升压斩波器，全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:156W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGV15H120T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 25A 115W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 功率 - 最大值:115W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，15A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGV100H60T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 150A 340W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGV100H60BTPG 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 150A 340W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止 配置:升压斩波器，全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTH006A0X4-SRZ APTH006A0X-SR APTH006A0X-SRZ APTH012A0X3-SRZ APTH012A0X43-SRZ APTH020A0X3-SRZ APTH020A0X43-SRZ APTJC120AM13VCT1AG APTJC120AM25VCT1AG APTK2012RWC/Z-F01 APTL3216CGCK APTL3216PBC/A APTL3216QBC/D APTL3216SECK APTL3216SURCK APTL3216SYCK APTL3216SYCK01 APTL3216ZGC
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
配单专家
发布配单采购
APTGV30H60T3G推荐型号
APTGV30H60T3G相关热门型号

在采购APTGV30H60T3G进货过程中，您使用搜索有什么问题和建议？点此反馈

友情提醒：为规避购买APTGV30H60T3G产品风险，建议您在购买APTGV30H60T3G相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明：以上所展示的APTGV30H60T3G信息由会员自行提供，APTGV30H60T3G内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号