AS-8.000-S

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AS-8.000-S 技术参数

AS-8.000MAHK-B 功能描述:8MHz ±30ppm 晶体 20pF 80 欧姆 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 通孔 HC49/US 制造商:txc corporation 系列:AS 包装:散装零件状态:有效类型:MHz 晶体频率:8MHz 频率稳定度:±30ppm 频率容差:±30ppm 负载电容:20pF ESR（等效串联电阻）:80 欧姆工作模式:基谐工作温度:-40°C ~ 85°C 等级:AEC-Q200 安装类型:通孔封装/外壳:HC49/US 大小/尺寸:0.453" 长 x 0.197" 宽（11.50mm x 5.00mm）高度:0.145"（3.68mm）标准包装:1,000 AS-8.000MAHI-B 功能描述:8MHz ±30ppm 晶体 16pF 120 欧姆 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 通孔 HC49/US 制造商:txc corporation 系列:AS 包装:散装零件状态:有效类型:MHz 晶体频率:8MHz 频率稳定度:±30ppm 频率容差:±30ppm 负载电容:16pF ESR（等效串联电阻）:120 欧姆工作模式:基谐工作温度:-40°C ~ 85°C 等级:AEC-Q200 安装类型:通孔封装/外壳:HC49/US 大小/尺寸:0.453" 长 x 0.197" 宽（11.50mm x 5.00mm）高度:0.145"（3.68mm）标准包装:1,000 AS-8.000MAGE-B 功能描述:8MHz ±30ppm 晶体 12pF 120 欧姆 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 通孔 HC49/US 制造商:txc corporation 系列:AS 包装:散装零件状态:有效类型:MHz 晶体频率:8MHz 频率稳定度:±50ppm 频率容差:±30ppm 负载电容:12pF ESR（等效串联电阻）:120 欧姆工作模式:基谐工作温度:-40°C ~ 85°C 等级:AEC-Q200 安装类型:通孔封装/外壳:HC49/US 大小/尺寸:0.453" 长 x 0.197" 宽（11.50mm x 5.00mm）高度:0.145"（3.68mm）标准包装:1,000 AS7C513B-15TCNTR 功能描述:静态随机存取存储器 512K, 5v, 15ns, FAST 32K x 16 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray AS7C513B-15TCN 功能描述:静态随机存取存储器 512K, 5v, 15ns, FAST 32K x 16 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray AS82527F8 AS8500-ASOT AS8500-ASOU AS8501-ASOT AS8501-ASOU AS8506-BQFM AS8506-BQFP AS8506C AS8506C-BQFM AS8506C-BQFM-A AS8506C-BQFP AS8506C-BQFP-A AS8506-DK-ACTIVE AS8506-DK-PASSIVE AS8506-DK-ST AS8510 COPPER SHUNT MINI BOARD AS8510 DEMOBOARD AS8510-ASSM