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AUIRFR4292TRR

配单专家企业名单
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AUIRFR4292TRR PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET Automotive Power MOSFET; 250V 345mOhm
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
AUIRFR4292TRR 技术参数
  • AUIRFR4292TRL 功能描述:MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):345 毫欧 @ 5.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):705pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:3,000 AUIRFR4292 功能描述:MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):345 毫欧 @ 5.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):705pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:75 AUIRFR4105ZTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24.5 毫欧 @ 18A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):740pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:3,000 AUIRFR4105Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24.5 毫欧 @ 18A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):740pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 AUIRFR4105 功能描述:MOSFET N-CH 55V 20A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 16A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):700pF @ 25V 功率 - 最大值:68W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 AUIRFR540ZTRL AUIRFR5410 AUIRFR5410TRL AUIRFR5505 AUIRFR5505TRL AUIRFR6215 AUIRFR6215TRL AUIRFR8401 AUIRFR8401TRL AUIRFR8403 AUIRFR8403TRL AUIRFR8405 AUIRFR8405TRL AUIRFR9024N AUIRFR9024NTRL AUIRFS3004 AUIRFS3004-7P AUIRFS3004-7TRL
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