AUIRS2004S..

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AUIRS2004S.. 技术参数

AUIRS2004S 功能描述:功率驱动器IC AUTO H-BRIDGE 200V 10-20V 520ns RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube AUIRS2003S 功能描述:功率驱动器IC AUTO H-BRIDGE 200V 10-20V 520ns RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube AUIRS1170STR 功能描述:IC GATE DRIVER 200V 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售应用:次级侧控制器电压 - 输入:200V 电压 - 电源:11 V ~ 18 V 电流 - 电源:45mA 工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ）标准包装:2,500 AUIRLZ44ZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:- 零件状态:过期 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:800 AUIRLZ44ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:- 零件状态:过期 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:50 AUIRS2113S AUIRS2113STR AUIRS2117S AUIRS2117STR AUIRS2118S AUIRS2118STR AUIRS2123S AUIRS2123STR AUIRS2124S AUIRS2124STR AUIRS21271S AUIRS21271STR AUIRS2127S AUIRS2127STR AUIRS21281S AUIRS2128S AUIRS21811S AUIRS21811STR