B35Z10H751X99

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B35Z10H751X99 技术参数

B350Q-13-F 功能描述:Diode Schottky 50V 3A Surface Mount SMC 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:SMC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 B350CE-13 功能描述:DIODE SCHOTTKY 50V 3A SMC 制造商:diodes incorporated 系列:- 零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:650mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:SMC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 B350B-M3/5BT 功能描述:Diode Schottky 50V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:660mV @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:DO-214AA（SMB）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,200 B350B-M3/52T 功能描述:Diode Schottky 50V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:660mV @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:DO-214AA（SMB）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:750 B350B-E3/5BT 功能描述:Diode Schottky 50V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:660mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:DO-214AA（SMB）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,200 B360AF-13 B360AM-13-F B360A-M3/5AT B360A-M3/61T B360B-13 B360B-13-F B360BE-13 B360B-E3/52T B360B-E3/5BT B360B-M3/52T B360B-M3/5BT B360BQ-13-F B360CE-13 B360Q-13-F B-36-1 B-36-2 B-36-3 B-36-4